IC physics, devices and processing

Inleiding tot en geschiedenis van IC-technologie, eenvoudige procesflow (1 x 3 u)

Halfgeleiderdevices en fysica van devices (5 x 3 u)

• Distributie en transport van ladingsdragers in halfgeleiders;
• Grondbeginselen van halfgeleiders;
• PN-verbindingsdiode;
• MOSFET-transistors;
• Bipolaire transistors;
• Gedrag bij kleine en grote signalen, eerste- en tweedeorde-effecten;
• Relatie tussen de halfgeleidertechnologie en het gedrag van de devices.

MOS- en bipolaire IC-verwerking (5 x 3 uur)

• Oxidatie;
• Diffusie;
• Ionenimplantatie;
• Chemische afzetting uit de dampfase (CVD);
• Fysieke dampdepositie (PVD);
• Natte verwerking;
• Plasma-etsen;
• Fotolithografie.

Verschillende geavanceerde onderwerpen (zoals high-K, SOI, FinFET) komen kort aan bod in het onderdeel device physics/technology: wat zijn de hoofdzaken, de voor- en nadelen en gevolgen.

Q&A, bespreking huiswerk, oefeningen (1 x 3 uur)

Karakterisering en bewaking van elektrische processen (2 x 3 uur):

• Probepads, PCM's (Process Control Monitor), PEM's (Process Evaluation Monitor);
• Meetsystemen & SMU's (Source Measure Unit);
• Weerstandsmetingen;
• Evaluatie en karakterisering van de weerstand van een enkele laag;
• Teststructuren voor de isolatie tussen en binnen lagen;
• Karakterisering van de contactweerstand.

Afsluitende sessie (1 x 3 uur):

• Actuele ontwikkelingen op het gebied van apparaatfysica, halfgeleiderdevices en procestechnologie;
• Huiswerk, certificaten en evaluatie.